ROHM Semiconductor RTF016N05FRA小信号MOSFET

ROHM Semiconductor RTF016N05FRA小信号MOSFET具有低导通电阻、内置G-S保护二极管,采用无铅电镀。该MOSFET采用TUMT3小型表面贴装封装,符合AEC-Q101标准。RTF016N05FRA MOSFET具有45V漏极-源极电压、±1.6A连续漏极电流以及±6.4A脉冲漏极电流。该MOSFET的工作结温和储存温度范围为-55°C至150°C。RTF016N05FRA小信号MOSFET非常适合用于开关。

特性

  • 低导通电阻
  • 内置G-S保护二极管
  • TUMT3小型表面贴装封装
  • 引脚无铅电镀
  • 符合RoHS指令
  • 符合AEC-Q101标准

规范

  • 漏极-源极电压:45V
  • 连续漏极电流:±1.6A
  • 脉冲漏极电流:±6.4A
  • 工作结温范围:-55°C至150°C
  • 功耗:0.8W
  • 最大导通电阻:190mΩ

电路图

位置电路 - ROHM Semiconductor RTF016N05FRA小信号MOSFET
发布日期: 2021-02-16 | 更新日期: 2022-03-11