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ROHM Semiconductor 小信号双通道MOSFET

ROHM Semiconductor小信号双通道MOSFET具有低导通电阻和快速开关特性。 此系列MOSFET符合RoHS标准，采用无铅电镀工艺。该双通道MOSFET的工作温度范围为-55°C至150°C。此系列MOSFET适用于电机驱动器和开关等应用。

特性

  • 低导通电阻
  • 快速开关
  • 工作温度范围：-55 °C至150 °C
  • 不含卤素
  • 无铅镀层
  • 符合RoHS标准
  • 经100% Rg和UIS测试

应用

  • 开关
  • 电机驱动器

功率耗散降额曲线

性能图表 - ROHM Semiconductor 小信号双通道MOSFET
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物料编号 数据表 Id-连续漏极电流 Qg-栅极电荷 Rds On-漏源导通电阻 上升时间 Vds-漏源极击穿电压 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 正向跨导 - 最小值 典型接通延迟时间 典型关闭延迟时间 晶体管极性 Pd-功率耗散
AW2K21AR AW2K21AR 数据表 20 A 29 nC 3 mOhms 5.9 ns 30 V - 2 V, 10 V 2 V 8.9 ns 487 ns N-Channel 1.6 W
HP8KF7HTB1 HP8KF7HTB1 数据表 18.5 A 20 nC 62 mOhms 11 ns 150 V 24 V 4 V 7.1 S 19 ns 40 ns N-Channel 26 W
HT8KF6HTB1 HT8KF6HTB1 数据表 7 A 6.4 nC 214 mOhms 9.1 ns 150 V 20 V 4 V 2.5 S 11 ns 19 ns N-Channel 14 W
HT8MB5TB1 HT8MB5TB1 数据表 12 A, 15 A 3.5 nC, 16.7 nC 47 mOhms, 56 mOhms 4.7 ns, 29 ns 40 V, 40 V 20 V, 20 V 2.5 V, 2.5 V 2.1 S, 6 S 5 ns, 9.6 ns 11 ns, 86 ns N-Channel, P-Channel 13 W
HT8MC5TB1 HT8MC5TB1 数据表 10 A, 11.5 A 3.1 nC, 17.1 nC 90 mOhms, 109 mOhms 5 ns, 17 ns 60 V, 60 V 20 V, 20 V 2.5 V, 2.5 V 2.3 S, 5 S 5.3 ns, 9.7 ns 13 ns, 91 ns N-Channel, P-Channel 13 W
R8011KNZ4C13 R8011KNZ4C13 数据表 11 A 37 nC 450 mOhms 25 ns 800 V 30 V 4.5 V 2.5 S 25 ns 70 ns N-Channel 139 W
R8019KNZ4C13 R8019KNZ4C13 数据表 19 A 65 nC 265 mOhms 50 ns 800 V 30 V 4.5 V 2.5 S 35 ns 110 ns N-Channel 208 W
RS6E122BGTB1 RS6E122BGTB1 数据表 155 A 50 nC 2.16 mOhms 19 ns 30 V 20 V 2.5 V 55 S 31 ns 66 ns N-Channel 89 W
HT8MD5HTB1 HT8MD5HTB1 数据表 9 A, 8.5 A 3.1 nC, 17.2 nC 112 mOhms, 191 mOhms 5 ns, 7 ns 80 V, 80 V 20 V, 20 V 4 V, 4 V 1.8 S, 3 S 5.8 ns, 9.4 ns 12 ns, 74 ns N-Channel, P-Channel 13 W
RD3N03BATTL1 RD3N03BATTL1 数据表 30 A 50 nC 64 mOhms 15 ns 80 V 20 V 4 V 13.4 S 15 ns 225 ns P-Channel 54 W
发布日期: 2025-06-15 | 更新日期: 2025-07-02