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ROHM Semiconductor 超低IR肖特基势垒二极管

ROHM Semiconductor超低IR肖特基势垒二极管是硅外延平面结构二极管，工作温度高达175°C。此系列二极管具有200V重复峰值反向电压、超低反向电流、200V反向电压和高可靠性。超低IR肖特基势垒二极管适用于开关电源、续流二极管和反转极性保护等应用。

特性

  • 硅外延平面单结构
  • 重复峰值反向电压：200V（占空比≤0.5）
  • 超低反向电流
  • 反向电压：200 V
  • 高可靠性
  • 结温：175 °C

应用

  • 开关电源
  • 续流二极管
  • 反转极性保护

结到外壳的瞬态阻抗标准值（因器件而异）

性能图表 - ROHM Semiconductor 超低IR肖特基势垒二极管
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物料编号 数据表 If - 正向电流 Vr - 反向电压 Vf - 正向电压 Vrrm - 重复反向电压 Ir - 反向电流 Ifsm - 正向浪涌电流 最大工作温度
RB028RSM20STFTL1 RB028RSM20STFTL1 数据表 12 A 200 V 840 mV 200 V 250 nA 135 A + 175 C
RB028RSM20STL1 RB028RSM20STL1 数据表 12 A 200 V 840 mV 200 V 250 nA 135 A + 175 C
RB038RSM20STFTL1 RB038RSM20STFTL1 数据表 4 A 200 V 790 mV 200 V 140 nA 80 A + 175 C
RB038RSM20STL1 RB038RSM20STL1 数据表 4 A 200 V 790 mV 200 V 140 nA 80 A + 175 C
RB048RSM20STFTL1 RB048RSM20STFTL1 数据表 8 A 200 V 830 mV 200 V 230 nA 95 A + 175 C
RB048RSM20STL1 RB048RSM20STL1 数据表 8 A 200 V 830 mV 200 V 230 nA 95 A + 175 C
RB078RSM20STFTL1 RB078RSM20STFTL1 数据表 5 A 200 V 810 mV 200 V 140 nA 80 A + 175 C
RB078RSM20STL1 RB078RSM20STL1 数据表 5 A 200 V 810 mV 200 V 140 nA 80 A + 175 C
RB088RSM20STFTL1 RB088RSM20STFTL1 数据表 10 A 200 V 830 mV 200 V 250 nA 135 A + 175 C
RB088RSM20STL1 RB088RSM20STL1 数据表 10 A 200 V 830 mV 200 V 250 nA 135 A + 175 C
发布日期: 2025-06-16 | 更新日期: 2025-07-11