ROHM Semiconductor VSxUA1LBTBR1 瞬态电压抑制器

ROHM Semiconductor VSxUA1LBTBR1瞬态电压抑制器是高可靠性TVS二极管。这些电压抑制器具有600W峰值脉冲功率和150°C结温。VSxUA1LBTBR1瞬态电压抑制器采用硅外延平面结构。这些TVS二极管采用小功率模制类型，采用DO-214AA（SMB）封装。这些瞬态电压抑制器非常适用于浪涌保护应用。

特性

硅外延平面单结构
可靠性高

600 W峰值脉冲功率
小型模具型封装

应用

浪涌保护

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物料编号	工作电压	钳位电压	击穿电压	Ipp - 峰值脉冲电流
VS26VUA1LBTBR1	26 V	42.1 V	28.9 V	14.3 A
VS13VUA1LBTBR1	13 V	21.5 V	13 V	28 A
VS30VUA1LBTBR1	30 V	48.4 V	30 V	12.4 A
VS5V0UA1LBTBR1	5 V	10.5 V	5 V	57 A
VS10VUA1LBTBR1	10 V	17 V	11.1 V	35.3 A
VS11VUA1LBTBR1	11 V	18.2 V	12.2 V	33 A
VS12VUA1LBTBR1	12 V	19.9 V	13.3 V	30.2 A
VS14VUA1LBTBR1	14 V	23.2 V	15.6 V	25.9 A
VS15VUA1LBTBR1	15 V	24.4 V	16.7 V	24.6 A
VS16VUA1LBTBR1	16 V	26 V	17.8 V	23.1 A