新款晶体管

onsemi GaNEXUS™ GaN FET
安森美 (onsemi) GaNEXUS™氮化镓场效应晶体管（GaN FET）利用GaN的宽带隙材料特性，与硅功率晶体管相比，可实现快速开关以及低栅极电荷与低输出电荷，且具有更高效率。这些特性使其能够在低、中、高及超高电压功率转换应用中实现更高的工作频率、更大的功率密度和更小的磁性元件。增强模式分立式GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）提供40V至650V的电压范围，其中包括集成保护功能的650V GaNEXUS Smart GaN FET，有助于提高可靠性并简化系统集成。安森美 (onsemi) GaNEXUS系列的理想应用包括工业自动化、机器人、AI数据中心、汽车电气化和能源基础设施。