新款晶体管
安森美 (onsemi) NVMTS1D1N08X N沟道功率MOSFET可为汽车功率转换和电机控制应用提供大电流开关功能。这些MOSFET兼具低导通电阻、低栅极电荷及低电容特性，可最大限度地降低导通损耗和驱动损耗。低反向恢复电荷的本体二极管具有软恢复特性，可在要求严苛的电源系统中实现高效开关。
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onsemi NVMTS1D1N08X N通道功率 MOSFET80V汽车级MOSFET，具有低导通电阻和软恢复本体二极管。2026/9/17
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Vishay SQD50P04-09L 40V汽车级P沟道功率MOSFET该器件非常适合汽车、电源分配和工业功率控制应用。2026/9/16 -
Texas Instruments JFE2325双低功耗N沟道JFET旨在与驻极体电容器麦克风 (ECM)等极高阻抗传感器配合使用。2026/9/9 -
IXYS IXSH150N120L3KHV SiC MOSFET1200V、13.5mΩ和147A SiC MOSFET，推荐用于工业开关电源。2026/9/2 -
IXYS IXSH110N120L3KHV SiC MOSFET1200V、18mΩ和112A SiC MOSFET，推荐用于工业开关电源。2026/9/2 -
IXYS IXSH65N120L3KHV SiC MOSFET适用于工业开关电源的1200V、35mΩ和67A SiC MOSFET。2026/9/2 -
IXYS IXSH100N120L3KHV SiC MOSFET1200V、21mΩ和102A SiC MOSFET，推荐用于工业开关电源。2026/9/2 -
IXYS IXSH50N120L3KHV SiC MOSFET1200V、55mΩ和48.3A SiC MOSFET，推荐用于工业开关电源。2026/9/2 -
Microchip Technology HV-D3 mSiC®功率模块简化并加速数据中心和其他高压电源应用中采用固态变压器（SST）。2026/9/1 -
onsemi NXH011F120M3F2碳化硅MOSFET全桥EliteSiC MOSFET模块，导通电阻为11mΩ，额定电压为1200V。2026/8/25 -
onsemi 80V单N沟道功率MOSFET具有低RDS(on)，可最大限度降低导通损耗，同时具备低QG和低电容，可最大限度减少驱动器损耗。2026/8/25 -
STMicroelectronics STGI15C60S三相逆变器和IGBT SLLIMM该器件非常适用于工作频率高达20kHz的硬开关电路的电机驱动。2026/8/19 -
iDEAL Semiconductor iS20M028S1PQ Automotive SuperQ® Power MOSFETAutomotive 200V N-channel MOSFET with SuperQ technology and TO-220 packaging.2026/8/12 -
STMicroelectronics SGT1D5R10MEA PowerGaN晶体管具有极低的导通损耗、大电流能力和超快的开关操作速度。2026/8/11 -
STMicroelectronics SGT3D5R10MEB PowerGaN晶体管设计用于高效大功率开关应用。2026/8/10 -
STMicroelectronics STH4N150-2AG N沟道功率MOSFET专为确保汽车应用的高电压和可靠性而设计。2026/8/10 -
onsemi EMD4DXV6数字晶体管（BRT）设计用于替代单个设备及其外部电阻偏置网络。2026/7/30 -
onsemi NVNJWS1K6N061L N 沟道 MOSFET具有低RDS(on)和低栅极阈值，且集成ESD保护。2026/7/30 -
ROHM Semiconductor 600V超接合点（SJ）MOSFET紧凑、扁平封装选项，提供出色的散热性能。2026/7/21 -
onsemi GaNEXUS™ GaN FET宽带隙材料特性，可实现低栅极和输出电荷、快速开关和效率提升。2026/7/8 -
Vishay MXP075 MaxSiC® 750V N沟道MOSFET具有750V漏源电压、快速开关速度以及小于3μs的短路耐受时间。2026/6/19 -
Navitas Semiconductor 3300V & 2300V Silicon Carbide (SiC) MOSFETsBased on latest GeneSiC™ trench-assisted planar (TAP) technology, offers flexible packaging formats.2026/6/18 -
Infineon Technologies EasyPACK™ S模块紧凑型、易于集成的封装设计，适用于现代电源设计，可实现高效电源转换。2026/6/12 -
Infineon Technologies OptiMOS™ 7 100V车规级功率MOSFET先进的N沟道设备，专为高效功率开关而设计。2026/5/27 -
Texas Instruments 2N7002L 6V N沟道MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻，同时保持快速的开关性能。2026/5/18