新款碳化硅MOSFET

Vishay MXP075 MaxSiC® 750V N沟道MOSFET
Vishay Semiconductors MXP075 MaxSiC® 750V N沟道MOSFET具有750V漏源电压、快速开关速度以及小于3μs的短路耐受时间。这些MOSFET还具有208W的最大功率耗散（Tc = 25°C）和51A的漏极连续电流（Tc = 25°C）。Vishay Semiconductors MXP075 MaxSiC 750V N沟道MOSFET不含卤素，并采用TO-247AD 4L封装。用户将这些MOSFET设计用于充电器、辅助电机驱动器和DC-DC转换器。