Semtech RCLP ® 03331PWQ ESD和EOS保护器件
Semtech RCamp®03331PWQ低电容ESD和EOS保护器件设计用于为天线和高速数据端口提供ESD和二次浪涌保护。该器件采用回扫或“Crow-bar”技术,可最大限度地降低钳位电压。RClamp03331PWQ ESD和EOS保护器件具有低漏电流,符合AEC-Q100和AEC-Q101 1级标准。ESD耐受电压高达±30kV(空气)和±25kV(接触),符合IEC 61000-4-2标准。该器件采用DFN 1mm x 0.6mm x 0.55mm双引线封装。典型应用包括天线、USB 3.2、低压差分信号 (LVDS)、汽车和工业设备。特性
- 极小封装
- 保护一条线路
- 低ESD钳位电压
- 漏电流低
- 低动态电阻
- 侧面可湿性侧翼
- 固态硅雪崩技术
规范
- ESD耐压(符合IEC 61000-4-2):
- ±30 kV(空气)
- ±25 kV触点
- ±3.3 V 的工作电压
- 低电容:0.35pF(典型值)
- 符合AEC-Q100和AEC-Q101 1级标准
- 1mm x 0.6mm x 0.55mm 双引线DFN封装
- 无铅,无卤素,符合RoHS指令/WEEE标准
应用
- 天线
- USB 3.2
- 低压差分信号 (LVDS)
- 汽车
- 工业设备
外形图:DFN双引线
发布日期: 2024-06-22
| 更新日期: 2024-07-31
