Semtech RCLP ® 03331PWQ ESD和EOS保护器件

Semtech RCamp®03331PWQ低电容ESD和EOS保护器件设计用于为天线和高速数据端口提供ESD和二次浪涌保护。该器件采用回扫或“Crow-bar”技术,可最大限度地降低钳位电压。RClamp03331PWQ ESD和EOS保护器件具有低漏电流,符合AEC-Q100和AEC-Q101 1级标准。ESD耐受电压高达±30kV(空气)和±25kV(接触),符合IEC 61000-4-2标准。该器件采用DFN 1mm x 0.6mm x 0.55mm双引线封装。典型应用包括天线、USB 3.2、低压差分信号 (LVDS)、汽车和工业设备。

特性

  • 极小封装
  • 保护一条线路
  • 低ESD钳位电压
  • 漏电流低
  • 低动态电阻
  • 侧面可湿性侧翼
  • 固态硅雪崩技术

规范

  • ESD耐压(符合IEC 61000-4-2):
    • ±30 kV(空气)
    • ±25 kV触点
  • ±3.3 V 的工作电压
  • 低电容:0.35pF(典型值)
  • 符合AEC-Q100和AEC-Q101 1级标准
  • 1mm x 0.6mm x 0.55mm 双引线DFN封装
  • 无铅,无卤素,符合RoHS指令/WEEE标准

应用

  • 天线
  • USB 3.2
  • 低压差分信号 (LVDS)
  • 汽车
  • 工业设备
原理图 - Semtech RCLP ® 03331PWQ ESD和EOS保护器件

外形图:DFN双引线

机械图纸 - Semtech RCLP ® 03331PWQ ESD和EOS保护器件
发布日期: 2024-06-22 | 更新日期: 2024-07-31