Semtech SRDA3.3-4 RailClamp®低电容TVS阵列
Semtech SRDA3.3-4 RailClamp® 低电容TVS阵列低电容ESD保护器件非常适合用于保护敏感元件免受过压影响。这些过电压包括静电放电（ESD）、电气快速瞬变（EFT）和雷电浪涌。SRDA3.3-4阵列具有板级保护特性，包括快速响应时间、低工作电压和钳位电压以及零器件退化。
Semtech SRDA3.3-4低电容TVS阵列在单一封装中结合浪涌保护低电容转向二极管与TVS二极管。在瞬态条件下，这些二极管通过内部低压TVS将瞬态电流引导至地面。此外，TVS二极管还会将瞬态电压钳位到安全水平。低电容阵列配置可保护多达四条线路的数据。
SRDA3.3-4的设计采用Semtech专有的EPD工艺技术。该工艺提供低关断电压，与硅雪崩二极管工艺相比，漏电流和电容显著降低。此外，这些器件采用3.9 x 4.9mm、8引脚SOIC封装，真实工作电压为3.3V。SRDA3.3-4阵列提供IPP= 25A、tp=8/20μs的高浪涌抑制能力，允许在高威胁环境中使用，例如CO/CPE设备、电信线路和视频线路。
特性
- 高速数据线路的瞬态保护
- IEC 61000-4-2（ESD）±15kV（空气），±8kV（接触）
- IEC 61000-4-4（EFT）40A（5/50ns）
- IEC 61000-4-5（雷电）25A（8/20μs）
- 浪涌保护二极管阵列，具有内部TVS二极管
- 保护四条I/O线路
- 低电容（<15pF）
- 低工作电压：3.3V
- 低钳位电压
- 固态技术
- JEDEC SOIC-8封装
- 无铅、无卤素且符合RoHS指令/WEEE标准
- 哑光锡铅表面处理
- 标记代码
- 卷带封装
应用
- T1/E1二次IC侧保护
- T3/E3二次IC侧保护
- 模拟视频保护
- 微控制器输入保护
- 基站
- I2C总线保护
电路图
原理图
发布日期: 2020-07-07
| 更新日期: 2024-12-05