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Semtech TDS2621LP瞬态电压分流抑制器 (TDS)

Semtech TDS2621LP瞬态转移抑制器 (TDS) 专为提供高能电气过应力 (EOS) 保护而设计，与标准TVS设备相比，具有卓越的钳位和温度特性。Semtech TDS2621LP设备使用耐浪涌FET作为主要保护元件。在EOS事件期间，瞬态电压会超过设备的额定击穿电压。然后FET开关并将瞬态电流传导至地面。由于FET的导通电阻[RDS(on)]极低，TDS钳位电压在额定峰值脉冲电流范围内几乎保持不变。与标准TVS二极管相比，最大峰值脉冲电流下的低钳位电压使得TDS组件更适合用于保护敏感集成电路 (IC)。

TDS2621LP TDS旨在保护工作电压为26.4V的最大电压总线或数据线。该系列额定值为高能量瞬态电流，最高可达24A（tp = 8/20μs），可用于满足IEC 61000-4-5标准（RS = 42Ω，CS = 0.5μF）中规定的±1kV的常见工业电压浪涌标准。Semtech TDS2621LP设备采用小型DFN封装（尺寸为1.6 mm x 1.6 mm x 0.55 mm），2引脚，与传统的SMAJ和SMBJ封装设备相比，可节省大量电路板空间。

特性

  • 高ESD耐压 - 符合IEC 61000-4-2标准，接触式±20kV，空气式±25kV
  • 符合IEC 61000-4-5标准，高峰值脉冲电流能力为24A (tp = 8/20μs)，1kV (tp = 1.2/50μs，RS = 42 Ω)
  • 保护一条 I/O 线或电源线
  • 最大工作电压：26.4 V
  • 固态技术
  • UL 94V-0成型化合物可燃性等级
  • 2引脚DFN封装，尺寸为1.6mm x 1.6mm x 0.55m
  • 无铅、无卤、符合RoHS/WEEE指令

应用

  • USB Type-C®
  • VBUS线
  • 物联网 (IoT) 设备

规范

  • 最大峰值脉冲功率为840W（tP = 8/20µs）
  • 峰值脉冲电流
    • 最大24A（tP = 8/20µs）
    • 最大1.3A（tP = 10/1000µs）
  • 最大反向间隙电压：26.4V
  • 反向击穿电压范围：31V至33.2V
  • 典型正向电压：0.6V
  • 最大反向漏电流为60nA，典型值为5nA
  • 最大钳位电压为35V，典型值为32.7V
  • 典型动态电阻为32mΩ
  • 典型接合点电容为86pF
  • 工作温度范围：-40 °C至+125 °C
  • 结温范围：-55 °C至+150 °C

功能框图

框图 - Semtech TDS2621LP瞬态电压分流抑制器 (TDS)
发布日期: 2025-10-09 | 更新日期: 2025-10-16