STMicroelectronics STGAP2GSN集成了各种保护功能,包括热关断和UVLO,并针对增强模式GaN FET进行了优化,从而可实现简单的设计、高效率和可靠的系统。双输入引脚支持选择信号极性控制和实施HW互锁保护,可在控制器发生故障时避免交叉传导。输入至输出传播延迟结果小于45ns,可提供较高的PWM控制精度。可提供待机模式,降低空闲功耗。
特性
- 高达1700V高压轨
- 25°C、VH = 6V时驱动器电流能力:2A/3A拉/灌电流
- dV/dt瞬态抑制:±100V/ns
- 45ns输入输出传播延迟
- 独立的拉电流和灌电流选项,可简化栅极驱动配置
- 针对GaN优化的UVLO功能
- 栅极驱动电压高达15V
- 3.3V、5V TTL/CMOS输入,带迟滞
- 高温关断保护
- 待机功能
- 窄体SO-8封装
应用
- 电机驱动器,用于家用电器、工厂自动化、工业驱动器和风机
- 600V/1200V逆变器
- 无线充电器
- UPS
- 电源装置
- DC-DC转换器
- 功率因数校正 (PFC)
框图
发布日期: 2023-05-05
| 更新日期: 2023-09-26

