STMicroelectronics 650碳化硅 (SiC) MOSFET
STMicroelectronics 650碳化硅 (SiC) MOSFET具有极低的每区域导通电阻 (RDS(on)) 以及出色的开关性能。这样即可实现更加高效、紧凑的系统。与硅MOSFET相比，碳化硅MOSFET即使在高温下也具有较低的每区域导通电阻。与各种温度范围内的优秀IGBT相比，碳化硅MOSFET还具有出色的开关性能。这样可以简化电力电子系统的热设计。
特性
- 具有极高的温度处理能力（最高TJ = 200°C），因此减小了PCB占位面积（简化了热管理）并提高了系统可靠性
- 显著降低了开关损耗（相对于温度的变化极小），从而实现了更加紧凑的设计（采用更小的无源元件）
- 低导通电阻（650V器件在25°C下的典型值为20mΩ，1200V器件在25°C下的典型值为80mΩ）和较低的散热要求实现了更高的系统效率
- 易于驱动（经济高效的网络驱动）
- 非常快速且坚固的内置体二极管（无需外部续流二极管，因此系统更加紧凑）
应用
- Automotive
- Main inverters (electric traction)
- DC/DC converter for EVs/HEVs
- Onboard chargers (OBC)
- Switching
- Power supplies for renewable energy systems
- High frequency DC-DC converters
视频
碳化硅MOSFET系列
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发布日期: 2019-01-16
| 更新日期: 2024-09-26