STMicroelectronics 符合AEC-Q101标准的STripFET功率MOSFET

STMicroelectronics符合AEC-Q101标准的STripFET功率MOSFET采用ST专有的沟槽式低压技术，实现了非常低的导通损耗。这些功率MOSFET最大限度地降低了电气驱动器的通常能耗，从而提高了效率，使其适用于各种应用。这些器件采用行业标准TO-252和TO-263 SMD封装，R_DS(on)范围为3mΩ至12.5mΩ，在大多数低压汽车应用中均具有出色性能。该系列产品包含标准和逻辑电平阈值。