STMicroelectronics EVSTGAP2SICSAC演示板

STMicroelectronics EVSTGAP2SICSAC演示板设计用于评估STGAP2SICSAC隔离式单通道栅极驱动器,驱动电压高达520V的半桥功率级。该演示板支持用户通过使用采用H2PACK-7L或H2PACK-2L或HU3PAK封装的适当器件替代电源开关来提高总线电压。  EVSTGAP2SICSAC板实现负栅极驱动,板载隔离式直流-直流转换器支持SiC MOSFET的优化驱动电压。该演示板非常 适合用于中等功率和大功率逆变器应用,例如配备SiC MOSFET电源开关的工业应用中的电机驱动器。

特性

  • 半桥配置,高压轨道高达520V
  • SCT055H65G3AG 650V、58mΩ(典型值)和30A第3代SiC MOSFET
  • 负栅极驱动
  • 17V/0V、17V/-3V、19V/0V和19V/-3 V跳线选择 驱动电压配置
  • 板载隔离式直流-直流转换器,为高侧和低侧栅极驱动器供电,由VAUX=5V馈电,最大隔离为5.2kV
  • 板载生成3.3V或VAUX = 5V时提供VDD逻辑

原理图 - STMicroelectronics EVSTGAP2SICSAC演示板
发布日期: 2023-07-14 | 更新日期: 2023-08-09