STMicroelectronics EVSTGAP2SICSANC演示板

STMicroelectronics   EVSTGAP2SICSANC演示板设计用于STGAP2SICSANC隔离式单栅极驱动器以及驱动半桥功率级(额定电压最高520V)。该演示板采用负栅极驱动,板载隔离式直流-直流转换器 支持使用优化的驱动电压SiC MOSFET工作。EVSTGAP2SICSAC板组件易于访问和修改,可在不同 应用条件下轻松评估驱动器的性能 。该演示板非常适合 用于中大功率逆变器应用(例如工业应用中的电机驱动器,配备SiC MOSFET电源开关。

特性

  • 半桥配置,高压轨高达520V
  • 650V、58mΩ典型值,和30A SCT055H65G3AG第三代SIC MOSFET
  • VDD 逻辑由板载生成的3.3V或VAUX =5V供电
  • 负栅极驱动
  • 驱动电压配置的17V/0V、17V/-3V、19V/0V和19V/-3V跳线选择
原理图 - STMicroelectronics EVSTGAP2SICSANC演示板
发布日期: 2023-07-14 | 更新日期: 2023-07-31