STMicroelectronics EVSTGAP2SICSN/C评估板
STMicroelectronics EVSTGAP2SICSN/C评估板设计用于评估STGAP2SICSN隔离式单通道栅极驱动器。STGAP2SICSNTR 4A单通道栅极驱动器在栅极驱动通道、低电压控制和接口电路之间提供电流隔离。
STM EVSTGAP2SICSN/C板支持评估STGAP2SICSN的所有特性，同时驱动额定电压高达520V的半桥功率级。通过采用H2PACK-7L或H2PACK-2L封装的适当器件和C29电容（如需要）替代电源开关，可提高总线电压。该板元件易于访问和修改，可在不同应用条件下轻松评估驱动器性能，并可对最终应用元件进行精细调整。
特性
- 电路板
- 半桥配置，高压轨高达520V
- SCT35N65：650V、55mΩ SiC MOSFET
- 负栅极驱动
- 板载隔离式直流-直流转换器，为高侧和低侧栅极驱动器供电，由VAUX=5V馈电，最大隔离为5.2kV
- 板载生成3.3V VDD逻辑电源，或5V（外部施加）
- 可轻松选择跳线以驱动电压配置：+17/0V；+17/-3V；+19/0V；+19/-3V
- 设备
- 驱动器电流能力：4A拉电流/灌电流（25°C时）
- 独立的拉电流和灌电流输出，可简化栅极驱动配置
- 传播延迟短：75ns
- UVLO功能
- 栅极驱动电压高达26V
- 3.3V、5V TTL/CMOS输入，带迟滞
- 高温关断保护
- 待机功能
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发布日期: 2021-09-07
| 更新日期: 2022-03-11