STMicroelectronics H6/F6 汽车用 P 沟道 MOSFET
意法半导体 H6/F6 汽车用 P 沟道 MOSFET 采用 STripFET™ H6/F6 技术开发而成， 具有全新的沟槽栅极结构。这样无论采用何种封装 功率 MOSFET 均具有非常低的 RDS(on) 。
特性
- Designed for automotive applications and AEC-Q101 qualified
- Low on-resistance
- Low gate charge
- High avalanche ruggedness
- Low gate drive power loss
规范
- -40VDS
- 15mΩ maximum RDS(on)
- -50A ID
发布日期: 2015-08-24
| 更新日期: 2022-03-11