STMicroelectronics HSP051-2W3Y双线ESD阵列

STMicroelectronics HSP051-2W3Y双线ESD阵列设计用于高速差分线路上的静电放电 (ESD) 抑制。HSP051-2W3Y具有超低电容变化,确保对信号偏移的影响非常小。该ESD阵列采用符合RoHS指令的紧凑型SOT323-3L封装,符合汽车应用类AEC-Q101标准。

规范

  • 直通布线,可保持信号完整性
  • 超高带宽:3GHz
  • 超低电容:0.7pF
  • 峰值脉冲功耗 (8/20µs):20W
  • 峰值脉冲电流 (8/20µs) (Tstg):1.8A
  • 储存温度范围:-65°C至+150°C
  • 工作结温范围 (Tj):-40°C至+150°C
  • 焊接时(10s内)的最高引线温度 (TL):260°C
  • 宽工作结温范围:-40°C至150°C
  • 符合AEC-Q101标准
  • 符合ISO 10605 - C = 150pF,R = 330Ω超过4级要求
    • ±12kV(接触放电)
    • ±15kV(空气放电)
  • 符合ISO 10605 - C = 330pF,R = 330Ω
    • ±8kV(接触放电)
    • ±12kV(空气放电)
  • 符合RoHS指令
  • 封装:SOT323-3L (Jedec TO-236)

应用

  • 汽车用数据线ESD保护
  • 针对CAN、CAN-FD和LIN接口的ESD保护
  • APIX
  • LVDS和数字视频接口
  • 以太网
  • BroadR-Reach
  • USB 2.0和USB 3.0
  • 高速通信总线

封装信息

STMicroelectronics HSP051-2W3Y双线ESD阵列
发布日期: 2018-11-15 | 更新日期: 2023-02-23