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意法半导体 M 系列沟槽式栅极场终止型 IGBT意法半导体 M 系列沟槽式栅极场终止型 IGBT 是一款高速 IGBT，采用了先进的、具有专利的沟槽式栅极和场终止型结构。用于需要低耗散、短路容量的逆变器系统时，对产品性能进行折中，从而最大限度提高逆变器的效率。此外， VCE(sat)温度系数为正，参数分布紧密，因而联工作更为安全。这些器件常用于工业设备、UPS、太阳能和焊接等。
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发布日期: 2014-12-11
| 更新日期: 2026-01-12
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意法半导体 M 系列沟槽式栅极场终止型 IGBT意法半导体 M 系列沟槽式栅极场终止型 IGBT 是一款高速 IGBT，采用了先进的、具有专利的沟槽式栅极和场终止型结构。用于需要低耗散、短路容量的逆变器系统时，对产品性能进行折中，从而最大限度提高逆变器的效率。此外， VCE(sat)温度系数为正，参数分布紧密，因而联工作更为安全。这些器件常用于工业设备、UPS、太阳能和焊接等。
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