STMicroelectronics SGT65R65AL e-mode PowerGaN晶体管
STMicroelectronics SGT65R65AL e-mode PowerGaN晶体管是650V、25A晶体管,采用成熟的封装技术。STMicroelectronics SGT65R65AL采用G-HEMT器件,其具有极低的导通损耗、高电流能力和超快开关操作。该器件可实现高功率密度和出色的效率性能。
特性
- 极低电容
- 开尔文源极焊盘,实现最佳栅极驱动
- 零反向恢复电荷
助您完成设计
各种可直接替换器件,适用于通用模拟IC、分立元件和串行EEPROM。
发布日期: 2023-03-07
| 更新日期: 2023-03-26