STMicroelectronics STDRIVE601三半桥栅极驱动器
STMicroelectronics STDRIVE601三半桥栅极驱动器是采用BCD6离线技术的高压器件。该器件是一款带有三个半桥栅极驱动器的单芯片，适用于面向3相应用的N通道功率MOSFET或IGBT。所有器件输出均可实现350mA灌电流和200mA拉电流。该器件通过互锁和死区功能确保防止交叉传导。该器件具有专用输入引脚（用于各输出）和关断引脚。逻辑输入兼容CMOS/TTL，低至3.3V，便于与控制器件连接。低侧和高侧部分之间的匹配延迟可确保无周期失真并支持高频运行。
STDRIVE601内置一个具有先进SmartSD功能的比较器，STDRIVE601中也集成了该功能，可确保快速有效地防止过流、过热等故障事件。借助低侧和每个高侧驱动部分的专用UVLO保护特性，可防止电源开关在低效率或危险条件下运行。借助集成的自举二极管以及该IC的所有集成特性，可以更加轻松地进行应用PCB设计。这些特性还可使该器件更加紧凑、简洁，从而减少物料清单总体成本。
特性
- 600V高压轨
- 驱动器电流能力
- STDRIVE601
- 200mA拉电流 (25°C)
- 350mA灌电流 (25°C)
- STDRIVE601
- dV/dt瞬态抑制：±50V/ns
- 栅极驱动电压范围：9V至20V
- 总输入-输出传播延迟：85ns
- 所有通道均有匹配的传播延迟
- 3.3V、5V TTL/CMOS输入，带迟滞
- 集成自举二极管
- 用于快速过流保护的比较器
- 智能关断功能
- 联锁和死区功能
- 专用使能引脚
- 低侧和高侧UVLO功能
应用
- 三相电机驱动器
- 逆变器
框图
相关开发工具
STMicroelectronics EVALSTDRIVE601演示板
用于评估STDRIVE601三路半桥高压栅极驱动器。
发布日期: 2019-07-03
| 更新日期: 2024-03-13