STMicroelectronics STDRIVEG210半桥栅极驱动器

STMicroelectronics  STDRIVEG210半桥栅极驱动器设计用于N 沟道增强模式GaN，高侧驱动器部分可承受高达220V电压轨。这些驱动器具有大电流能力、短传播延迟和出色的延迟匹配，并集成了低压差稳压器 (LDO)。这使得它们非常适合驱动高速GaN。STDRIVEG210半桥栅极驱动器具有针对快速启动和低功耗软开关应用量身定制的电源UVLO功能。高侧稳压器的特点是唤醒时间非常短，可以在间歇操作（突发模式）期间最大限度地提高应用效率。这些驱动器提供了扩展的输入引脚范围，便于与控制器连接。待机引脚可在非活动期或突发模式下降低功耗。应用包括DC/DC、AC/DC、谐振转换器、同步整流、UPS、适配器、LED灯和USB-C。