STMicroelectronics STGD4H60DF 600V 4A高速H系列IGBT

STMicroelectronics STGD4H60DF 600V 4A高速H系列IGBT设计采用先进的沟槽式栅极场终止型结构。STMicroelectronics STGD4H60DF IGBT H系列实现了传导与开关效率之间的平衡，因此非常适合用于高频转换器。该器件还具有稍正的V_CE(sat)温度系数和一致的参数分布，可实现更安全的并联操作。