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STMicroelectronics STGHU30M65DF2AG汽车级IGBT

STMicroelectronics STGHU30M65DF2AG汽车级IGBT采用先进的沟槽式栅极场终止型结构进行开发。STMicroelectronics STGHU30M65DF2AG在逆变器性能和效率之间实现了完美平衡，具有低功耗和短路保护特性。正VCE(sat) 温度系数和一致的参数分布增强了安全并联操作。

特性

  • 符合 AEC-Q101
  • 最高结温：TJ = +175°C
  • 最短短路耐受时间：6μs
  • VCE(sat) = 1.6V（典型值，IC = 30A时）
  • 参数分布紧密
  • 并联工作更安全
  • 低热阻
  • HU3PAK卷带封装
  • 快速软恢复反向并联二极管
  • 由于额外的驱动开尔文引脚，因此具有出色的开关性能

应用

  • 汽车电机控制
  • 电动压缩机
  • 工业电机控制
  • 电源和转换器

电路图

应用电路图 - STMicroelectronics STGHU30M65DF2AG汽车级IGBT

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发布日期: 2024-09-06 | 更新日期: 2024-09-12