STMicroelectronics STGSH50M120D ACEPACK SMIT IGBT(带二极管)
STMicroelectronics STGSH50M120D ACEPACK SMIT IGBT(带二极管)在半桥拓扑中集成了2个IGBT和二极管。 STMicroelectronics STGSH50M120D安装在非常紧凑、坚固耐用、易于表面贴装的封装中。 该器件针对硬开关换向的传导和开关损耗进行了优化,其中短路耐受性是其基本特性。每个开关均包含一个正向压降低的续流二极管。因此,该产品专为最大限度地提高工业驱动器的效率和功率密度而设计。
特性
- 低损耗和短路保护IGBT
- 最高结温TJ :+175°C
- VCE (sat)(IC = 50A时):1.8V(典型值)
- 最少的拖尾电流
- 参数分布紧密
- 低热阻
- 正温度系数VCE(sat)
- 快速软恢复反向并联二极管
- 隔离等级:3.4kVRMS/min
助您完成设计
各种可直接替换器件,适用于通用模拟IC、分立元件和串行EEPROM。
发布日期: 2024-12-17
| 更新日期: 2025-07-22