STMicroelectronics STGSH80HB65DAG 650V 80A HB系列IGBT
STMicroelectronics STGSH80HB65DAG 650V 80A HB系列IGBT具有两个IGBT和二极管，采用紧凑、坚固的表面贴装封装。 STMicroelectronics STGSH80HB65DAG IGBT针对软换向进行了优化，可最大限度地降低导通和开关损耗。 每个开关均包含一个低压差续流二极管，因此非常适合用于高效谐振和软开关应用。
特性
- 符合AQG 324标准
- 高速开关系列
- 最高结温：TJ = 175°C
- 低VCE(sat) = 1.7V（典型值）IC = 80A时
- 最少的拖尾电流
- 参数分布紧密
- 得益于DBC基板，热阻低
- 正温度VCE(sat) 系数
- 高速软恢复反向并联二极管
- 隔离额定值为3.4kVrms/最小值
应用
- 直流/直流转换器（用于HEV/EV）
- 车载充电器 (OBC)
原理图和引脚描述
助您完成设计
STMicroelectronics 标准产品
各种可直接替换器件，适用于通用模拟IC、分立元件和串行EEPROM。
视频
发布日期: 2023-10-24
| 更新日期: 2024-01-21