STMicroelectronics STH13N120K5-2AG N沟道功率MOSFET

STMicroelectronics STH13N120K5-2AG N通道功率MOSFET采用MDmesh K5技术，该技术基于创新的专用垂直结构。因此，对于需要出色功率密度和高效率的应用，可大幅降低导通电阻并实现超低栅极电荷。该器件符合AEC-Q101标准并具有齐纳保护功能。