STMicroelectronics STL059N4S8AG功率MOSFET

STMicroelectronics STL059N4S8AG功率MOSFET是一款采用Smart STripFET F8技术设计的40V N沟道增强模式功率MOSFET。Smart STripFET F8技术在搭配STi²Fuse栅极驱动器使用时能让大电流功率分配具有低导通电阻。该功率MOSFET通过了AEC-Q101认证,并100%进行了雪崩测试。STL059N4S8AG功率MOSFET采用带可润湿侧翼的PowerFLAT 5x6封装。该功率MOSFET1达到潮湿敏感度等级 (MSL1) 级,并工作在-55°C至+175°C的温度范围内。STL059N4S8AG功率MOSFET非常适合用于功率分配应用。

特性

  • 符合 AEC-Q101
  • MSL1级
  • 逻辑电平
  • 100% 经雪崩测试
  • 可湿性侧翼封装
  • 极低的RDS(on)
  • PowerFLAT 5x6封装

规范

  • 40VDS漏源电压
  • ±20V栅-源电压
  • 漏极电流:1680 A(脉冲)
  • 187W总耗散功率
  • 60A单脉冲雪崩电流
  • 603mJ单脉冲雪崩能量
  • 工作温度范围:-55 °C至175 °C

概览图像

STMicroelectronics STL059N4S8AG功率MOSFET
发布日期: 2026-03-27 | 更新日期: 2026-04-08