STMicroelectronics STL059N4S8AG功率MOSFET
STMicroelectronics STL059N4S8AG功率MOSFET是一款采用Smart STripFET F8技术设计的40V N沟道增强模式功率MOSFET。Smart STripFET F8技术在搭配STi²Fuse栅极驱动器使用时能让大电流功率分配具有低导通电阻。该功率MOSFET通过了AEC-Q101认证,并100%进行了雪崩测试。STL059N4S8AG功率MOSFET采用带可润湿侧翼的PowerFLAT 5x6封装。该功率MOSFET1达到潮湿敏感度等级 (MSL1) 级,并工作在-55°C至+175°C的温度范围内。STL059N4S8AG功率MOSFET非常适合用于功率分配应用。特性
- 符合 AEC-Q101
- MSL1级
- 逻辑电平
- 100% 经雪崩测试
- 可湿性侧翼封装
- 极低的RDS(on)
- PowerFLAT 5x6封装
规范
- 40VDS漏源电压
- ±20V栅-源电压
- 漏极电流:1680 A(脉冲)
- 187W总耗散功率
- 60A单脉冲雪崩电流
- 603mJ单脉冲雪崩能量
- 工作温度范围:-55 °C至175 °C
概览图像
发布日期: 2026-03-27
| 更新日期: 2026-04-08
