STMicroelectronics STL105N8F7AG汽车用功率MOSFET
STMicroelectronics STL105N8F7AG汽车用N沟道功率MOSFET采用STripFET F7技术，具有增强沟槽式栅极结构。STL105N8F7AG MOSFET符合AEC-Q101标准，具有非常低的导通电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，实现更快、更高效的开关。
STM STL105N8F7AG汽车用N沟道功率MOSFET采用PowerFLAT 5x6可湿性侧翼封装，非常适合用于开关应用。
特性
- 符合AEC-Q101标准
- 市场上最低的RDS(on)
- 出色的FoM（品质因数）
- 低Crss/Ciss比，实现EMI抑制
- 高雪崩耐受性
- 可湿性侧翼PowerFLAT 5x6封装
典型电路应用
发布日期: 2021-04-29
| 更新日期: 2022-03-11