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STMicroelectronics STL25N60M2-EP N-Channel Power MOSFET

意法半导体 STL25N60M2-EP
N 沟道功率 MOSFET

意法半导体 STL25N60M2-EP N 沟道功率 MOSFET 采用 PowerFLAT™ 8x8 HV 封装，借助 MDmesh™ M2 EP 性能增强技术开发而成。它采用带状布局，改善了垂直结构以降低导通电阻，优化了开关特性。还具有非常低关断开关损耗，因而适合用于要求高的高频转换器。

特点
  • 超低栅极电荷
  • 优秀的输出电容（COSS）曲线
  • 非常低的关断开关损耗
  • 100% 经雪崩测试
  • 齐纳保护
应用
  • 开关应用
  • 适用于特高频
  • 转换器 （f > 150kHz）
内部原理图
Internal Schematic Diagram
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  • STMicroelectronics
发布日期: 2015-12-01 | 更新日期: 2022-03-11