这些MCU采用高速嵌入式存储器,具有高达2MB的双组闪存、1MB的RAM(包括192KB的TCM RAM、864KB的用户SRAM以及4KB的备份SRAM)。另外,这些器件还具有各种连接到APB总线、AHB总线、2x32位多AHB总线矩阵的增强型I/O和外设,以及支持内部和外部存储器访问的多层AXI互连。
这些器件设有三个ADC、两个DAC、两个超低功耗比较器、一个低功耗RTC、一个高分辨率定时器、12个通用16位定时器、两个用于电机控制的PWM定时器、五个低功耗定时器和一个真随机数发生器 (RNG)。这些器件支持四个用于外部Σ-Δ调制器 (DFSDM) 的数字滤波器,并设有标准和高级通信接口。
特性
- 内核
- 具有双精度FPU和L1高速缓存的32位Arm® Cortex®-M7内核:16KB数据缓存和16KB指令缓存
- 支持从256位嵌入式闪存单次访问一条高速缓存线;频率高达480MHz,MPU、856DMIPS/2.14 DMIPS/MHz (Dhrystone 2.1) 和DSP指令
- 存储器
- 高达2MB闪存,支持边读边写功能
- 1MB的RAM:192KB的TCM RAM(包括64KB的ITCM RAM + 128KB的DTCM RAM,用于时间关键型例程)、864KB的用户SRAM,以及4KB备份域SRAM
- 双模Quad-SPI存储器接口,运行频率高达133MHz
- 具有高达32位数据总线的灵活外部存储器控制器:SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR SDRAM、NOR/NAND闪存,同步模式下时钟频率高达133MHz
- CRC计算单元
- 安全性
- ROP、PC-ROP、主动防篡改
- 通用输入/输出
- 多达168个具有中断功能的I/O端口
- 高速I/O,运行频率高达133MHz
- 多达164个5V容差I/O
- 多达168个具有中断功能的I/O端口
- 复位和电源管理
- 3个独立的电源域,可以独立地进行时钟门控或关闭,尽可能提高电源效率:
- D1:高性能,用于高带宽外设
- D2:通信外设和计时器
- D3:复位/时钟控制/电源管理
- 1.62V至3.6V应用电源和I/O
- POR、PDR、PVD和BOR
- 专用USB电源,内置3.3V内部稳压器,可为内部PHY供电
- 具有可配置可扩展输出的嵌入式稳压器 (LDO),可为数字电路供电
- 在运行和停止模式下进行电压调节(5个可配置范围)
- 备份稳压器 (~0.9V)
- 模拟外设的电压基准/VREF+
- 低功耗模式:睡眠、停止、待机,以及支持电池充电的VBAT
- 3个独立的电源域,可以独立地进行时钟门控或关闭,尽可能提高电源效率:
- 低功耗
- 总电流消耗低至4μA
- 时钟管理
- 内部振荡器:64kHz HSI、48MHz HSI48、4MHz CSI、40kHz LSI
- 外部振荡器:4MHz - 48MHz HSE、32.768kHz LSE
- 3个带分数模式的PLL(1个用于系统时钟,2个用于内核时钟)
信息图
视频
资源中心
发布日期: 2017-12-04
| 更新日期: 2025-03-19

