STMicroelectronics STPSC萧特基碳化硅二极管
STMicroelectronics萧特基碳化硅二极管利用SiC优于标准硅的卓越物理特性,提供高出4倍的动态特性并降低15%的正向电压 (VF) 。ST的碳化硅二极管拥有低反向恢复特性,因此成为了SMPS应用和其他新兴领域的关键节能因素。这些领域包括太阳能转换、EV或HEV充电站,以及焊接设备和空调等应用。STMicroelectronics SiC产品组合在原有的4至12安培通孔和SMD封装产品阵容中,加入了20A、600V二极管,采用不含卤素的TO-247封装。另外亦提供下一代6A、1200V器件及650V系列。
精选产品
Ultrahigh performance power schottky diode manufactured using a silicon carbide substrate.
Complete Your Design
各种可直接替换器件,适用于通用模拟IC、分立元件和串行EEPROM。
发布日期: 2013-03-07
| 更新日期: 2026-01-19