STMicroelectronics STripFET I™功率MOSFET

STMicroelectronics STripFET I™功率MOSFET是采用“单一特性尺寸”带状工艺的增强模式功率MOSFET。这样可减少关键的对准步骤，以提供卓越的制造再现性。这样即可实现具有极高填充密度的晶体管，从而实现低导通电阻、高雪崩耐受特性和低栅极电荷。因此，这些器件非常适合用于汽车开关应用。