STMicroelectronics STWA70N65DM6 N通道650V 68A功率MOSFET

STWA70N65DM6 N通道650V 68A功率MOSFET是一款采用TO-247长引线封装的MDmesh DM6快速恢复二极管。STWA70N65DM6将极低恢复电荷 (Qrr)、极短恢复时间 (trr) 以及每区域出色的漏源导通电阻 (RDS(on)) 与高效的开关特性相结合。借助这些特性,该器件非常适合用于要求苛刻的高效桥式拓扑和ZVS(零电压开关)相移转换器。

特性

  • 快速恢复体二极管
  • 静态漏源导通电阻 (RDS(on)):36mΩ(典型值),40mΩ(最大值)
  • 低栅极电荷、输入电容和电阻
  • 栅极-源极电压 (VGS):±25V
  • 100%经雪崩测试
  • 极高dv/dt耐受性
  • 齐纳保护
  • 工作结温范围 (TJ):-55°C至1+50°C
  • 封装类型:TO-247长引线
  • ECOPACK®封装:符合REACH、RoHS和EL标准

测试电路

应用电路图 - STMicroelectronics STWA70N65DM6 N通道650V 68A功率MOSFET

封装外形和尺寸

机械图纸 - STMicroelectronics STWA70N65DM6 N通道650V 68A功率MOSFET
发布日期: 2019-12-02 | 更新日期: 2024-02-22