STMicroelectronics EVSTGAP2GS演示板
STMicroelectronics EVSTGAP2GS演示板设计用于评估STGAP2GS隔离式单通道栅极驱动器。STGAP2GS具有2A拉电流/3A灌电流能力和轨到轨输出。凭借这些特性，该器件非常适用于中等和大功率逆变器应用。该器件通过使用专用栅极电阻器分别优化导通和关断。
STMicro EVSTGAP2GS板可评估驱动 SGT120R65AL 75mΩ、650V e-Mode GaN晶体管的所有 STGAP2GS 选项。该电路板元件易于访问和修改，便于不同应用条件下的驱动器性能评估和最终元件的细微调整。
特性
- 设备
- 高压轨最高达1200V
- 驱动器电流能力：2A/3A拉电流/灌电流（+25°C，VH = 6V时）
- 独立灌电流和拉电流，可简化栅极驱动配置
- 输入-输出传播延迟：45ns
- UVLO功能，针对GaN进行优化
- 栅极驱动电压：高达15V
- TTL/CMOS输入：3.3V、5V，带迟滞
- 温度关断保护
- 电路板
- 半桥式配置，高压轨最高达650V
- SGT120R65AL具有650V、75mΩ（典型值）、15A、e-mode PowerGaN晶体管
- 负栅极驱动
- 板载隔离式直流-直流转换器，为高侧和低侧栅极驱动器供电，由VAUX = 5V馈电，最大隔离度为5.2kV
- VDD逻辑由板载3.3V或VAUX = 5V提供
- 可轻松选择跳线以驱动电压配置：+6V/0V、+6V/-3V
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发布日期: 2023-06-20
| 更新日期: 2023-06-26