STMicroelectronics EVLMG1LPBRDR1基于GaN的半桥电源模块
STMicroelectronics EVLMG1LPBRDR1基于GaN的半桥电源模块配有MASTERGAN1L，其可快速创建拓扑，无需完整的PCB设计。该模块经过微调，可用于LLC应用，其低侧电阻器设置为零，外部体二极管与每个半桥GaN并联。该模块还可用于有源钳位或谐振峰值电流模式反激式应用，仅需适当调整低侧检测电阻器并消除并联二极管。
PCB中嵌入了两个6V替代线性稳压器：一个简易的低成本稳压器和一个更精密的温度独立稳压器。由于采用外部自举二极管和电容器，因此可为VCC、PVCC和Vbo正确供电。该模块只接受单独的驱动信号，通过调整专用RC滤波器可以调制延迟时间。
特性
- 配备MASTERGAN1L的GaN半桥子板，适合用于需要快速唤醒的电源应用
- 嵌入独立可调死区时间，用于LIN和HIN信号
- 6V板载替代选项
- 分立式自举二极管和电容器，用于高频解决方案
- 可调低侧分流器，用于峰值电流模式控制算法
- 外部并联体二极管，满足LLC应用需求
- 45°C/W结点至环境热阻（无需强制气流，以评估大型电源拓扑
- 30mm x 40mm宽FR-4 PCB
- 符合RoHS指令
应用
- LLC/高端消费电子产品
- 有源钳位或谐振峰值电流模式反激
示意图
相关驱动器
STMicroelectronics MASTERGAN GaN半桥高压驱动器
在半桥配置中集成栅极驱动器和两个增强模式GaN晶体管。
发布日期: 2023-11-06
| 更新日期: 2023-11-28