STMicroelectronics 近地轨道 (LEO) 抗辐射集成电路

STMicroelectronics近地轨道 (LEO) 抗辐射集成电路采用塑料PowerSO-20和TSSOP-20封装,将成本效益、辐射硬度、质量保证和交付数量完美结合在一起。模拟和电源管理LEO IC得益于专门的认证、制造、筛选、质量保证和物流流程。特性包括电压范围为2V至12V,工作温度范围为-40°C至+125°C,高度范围为400km至2000km。近地轨道 (LEO) 抗辐射IC继承了STMicroelectronics 40年的空间技术积累,而且通过汽车AEC-Q100认证。

特性

  • TID和SEE中经过辐射验证
  • 基于AEC-Q100的框架
  • 专用认证等级、筛选和可追溯性
  • 统计过程控制
  • 大数量容量
  • 重量轻
  • 小型封装,采用金线和无晶须表面处理 (NiPdAu)
  • 每行单设备源
  • 在-40°C、+25°C和+125°C温度条件下进行测试
  • 海拔范围:400km至2000km
  • 符合空间要求的排气(RML恢复质量损失<1%,CVM收集的易失性冷凝材料<0.1%)
  • 范围:2V至12V
  • PowerSO-20和TSSOP-20封装
  • 有以下型号可供选择
    • 最坏情况下最终包装的仿真样品,符合安装标准
    • 用于评估和开发的开发样品
    • 符合“ST-LEO通用IC规范”的飞行模型

应用

  • 近地轨道 (LEO) 卫星星座
    • 互联网接入
    • 机上互联网服务
    • 地球观测任务
  • 汽车

视频

发布日期: 2023-03-27 | 更新日期: 2023-09-11