STMicroelectronics STGWA50IH65R 650V软开关IHR IGBT
STMicroelectronics的STGWA50IH65R 650V软开关IHR绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 采用内含单片集成体二极管的先进的、专有的沟槽栅场截止结构。STMicroelectronics的STGWA50IH65R 650V软开关IHR IGBT对传导和开关损耗均经过了优化，用来提供 软换流。这款长引线、TO-247封装的IGBT，为谐振和软开关应用发挥了最大效率。
特性
- 反向导通的650V、50A、软开关IHR系列IGBT，采用TO-247长引线封装
- 专为软换流而设计
- 最高结温：+175 °C
- 50A集电极连续电流下集电极-发射极饱和电压：1.45V（典型值）
- 最少的拖尾电流
- 参数分布紧密
- 低热阻
- 低压降的单片集成二极管
- 正集电极-发射极饱和电压温度系数
- 符合 RoHS 要求
应用
- 感应烹饪
- 谐振转换器
- 微波炉
规范
- 最大集电极-发射极电压：650 V
- 最大集电极连续电流
- 97 A（+25 °C 时）
- 61 A（+100 °C 时）
- 最大脉冲集电极电流：200A
- 最大栅极-发射极电压：±20V
- 最大瞬态栅极-发射极电压：±30 V
- 最大持续正向电流
- 86 A（+25 °C 时）
- 52 A（+100 °C 时）
- 200 A最大脉冲正向电流
- 最大总耗散功率：306W
- 静态特性
- 最小集电极-发射极击穿电压：650V
- 最大集电极-发射极饱和电压：1.75V
- 最大正向导通电压：1.75V
- 栅极阈值电压范围：4.5V - 6.5V
- 最大集电极截止电流：25µA
- 最大栅极-射极漏电流：±250nA
- 典型动态特性
- 输入电容：2949 pF
- 输出电容：102 pF
- 反向传输电容：80pF
- 总栅极电荷：154nC
- 栅极-发射极电荷：23nC
- 栅极-集电极电荷：77nC
- 典型IGBT开关特性
- 感性负载
- 关断延迟时间范围：177ns至208ns
- 电流下降时间范围：38ns至75ns
- 关断切换能量范围：736μJ至1070μJ
- 无缓冲感性负载关断切换能量范围：474μJ至236μJ
- 感性负载
- 工作结温范围：-55 °C至+175 °C
- 热阻
- IGBT结至壳：0.49°C/W
- 二极管结至壳：0.7°C/W
- 二极管结至环境：50°C/W
原理图
完成您的设计
STMicroelectronics 标准产品
各种可直接替换器件，适用于通用模拟IC、分立元件和串行EEPROM。
发布日期: 2026-05-08
| 更新日期: 2026-05-12