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STMicroelectronics TN8050H-12WL高温可控硅晶闸管

STMicroelectronics TN8050H-12WL高温可控硅晶闸管适用于需要高抗扰度和低栅极电流的工业应用，例如电机启动器和电源。STMicroelectronics TN8050H-12WL可控硅晶闸管的浪涌能力达1400V，可增强可再生能源逆变器和不间断电源（UPS）等网络应用的稳健性。该器件采用高爬电距离TO-247LL封装，背面阳极和树脂边角可提供高达6.8mm的爬电距离，完全符合安全标准。TN8050H-12WL可控硅晶闸管也适用于高达80ARMS的工业应用。

特性

  • 最大阻断电压：1200V
  • 最大浪涌电压：1400V
  • 最大IGT：50mA
  • 高静态与动态换向（+150°C时）
    • dV/dt：1500V/µs
    • dI/dt：200A/µs
  • 最大结温（800V时）：+150°C
  • 传导冷却
  • ECOPACK2元器件（符合RoHS和HF标准）
  • 高爬电距离TO247长引线封装
  • 符合UL 94 V0级标准的树脂材料

应用

  • 太阳能
  • 风能可再生能源逆变器
  • 固态继电器（SSR）
  • 不间断电源 (UPS)
  • 工业SMPS
  • 旁路开关
  • 交流-直流浪涌电流限制电路（ICL）
  • 交流-直流电压控制整流器
  • 电池充电器
  • 工业焊接系统
  • 电机驱动软启动器
  • 加热系统

规范

  • 最大重复峰值断态电压（50/60Hz）
    • 1200 V（+125 °C 时）
    • 800 V（+150 °C 时）
  • 最大非重复浪涌电压：1400V
  • 最大通态RMS电流（导通角度为180°）：80A
  • 最大平均通态电流（导通角度为180°）：51A
  • 最大非重复浪涌峰值通态电流
    • 745A（tp=8.3ms时）
    • 680A（tp=10ms时）
  • 最大峰值正向栅极参数（20µs、+150°C时）
    • 电流 8 A
    • 5 V 电压
  • 最大熔断I2t值：2312A2s
  • 最大通态电流临界上升率：200A/µs
  • 最大平均栅极耗散功率：1W
  • 最大峰值反向栅极电压：3.5V
  • 最大阈值电压：0.85 V
  • 最大动态电阻：8.6mΩ
  • 热阻
    • 最大结至壳热阻：0.35°C/W
    • 典型结至环境热阻：50°C/W
  • 工作结温范围：-40 °C至+150 °C

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发布日期: 2025-12-22 | 更新日期: 2026-01-06