Texas Instruments CSD16321Q5 N沟道NexFET功率MOSFET
Texas Instruments CSD16321Q5 N沟道NexFET功率MOSFET是25V 1.9mΩ 5mm × 6mm SON NexFET™功率MOSFET，设计用于最小化功率转换损失，优化用于5V栅极驱动应用。
特性
- 针对5V栅极驱动进行优化
- 超低Qg和Qgd
- 低热阻
- 耐雪崩
- 端子无铅电镀
- 符合RoHS指令
- SON 5mm × 6mm塑料封装
应用
- 网络、电信和计算系统等应用的负载点同步降压转换器
- 优化用于同步FET应用
发布日期: 2022-03-04
| 更新日期: 2022-03-16