Texas Instruments DRV8212 12V、2A低压半桥电机驱动器

Texas Instruments DRV8212 12V, 2A低压半桥电机驱动器具有PWM、PH/EN和半桥控制接口以及低功耗休眠模式。DRV8212电机驱动器集成有四个N沟道功率FET、电荷泵稳压器和保护电路。三重电荷泵架构支持器件在低至1.65V电压下工作，从而适应1.8V电源轨和低电池电量条件。该电荷泵集成所有电容器，减小PCB上电机驱动器的整体解决方案尺寸，并支持100%占空比运行。

TI DRV8212支持多种控制接口模式，包括PWM (IN1/IN2)、相位/使能 (PH/EN)、独立半桥和并行半桥。每个接口支持低功耗睡眠模式，可通过关断大部分内部电路实现超低静态电流消耗。该器件可提供高达4A峰值输出电流，工作电源电压范围为1.65V至5.5V。

DRV8212具有各种稳健的内部保护特性，包括电源欠压锁定 (UVLO)、输出过流 (OCP) 和器件过热 (TSD)。

DRV8212是一系列器件的一部分，其具有引脚对引脚、可扩展RDS(on) 和电源电压选项，支持各种负载和电源轨，设计变化极小。该系列器件包括DRV8210、DRV8210P、DRV8212 、DRV8212P和DRV8220。

特性

N通道半桥电机驱动器
- MOSFET导通电阻：HS+LS 280mΩ
- 驱动一个双向有刷直流电机
- 两个单向有刷直流电机
- 一个单线圈或双线圈磁锁存继电器
- 推挽式和双稳态螺线管
- 其他电阻、电感或LED负载
工作电源电压范围：1.65V至11V
高输出电流能力：
- 全桥：4A峰值
- 半桥：每输出4A峰值
- 并联半桥：8A峰值
多个接口，提高灵活性，减少GPIO
标准PWM接口 (IN1/IN2)
支持1.8V、3.3V和5V逻辑输入

超低功耗休眠模式
- <84.5nA（条件：V_VM = 5V, V_VCC = 3.3V, T_J = 25°C）
- 定时自动休眠模式，可减少GPIO
保护特性
- 欠压锁定 (UVLO)
- 过流保护 (OCP)
- 热关断 (TSD)
系列器件
- DRV8210：1.65V-11V，1Ω，多接口
- DRV8210P：睡眠引脚、PWM接口
- DRV8212：1.65V-11V、280mΩ、多接口
- DRV8212P：睡眠引脚、PWM接口
- DRV8220：4.5V-18V，1Ω，多接口