该器件基于智能栅极驱动 (SGD) 架构,因此无需任何外部栅极元件(电阻器和齐纳二极管),同时为外部FET提供充分保护。SGD架构可优化死区时间以避免任何击穿问题,在通过栅极压摆率控制技术降低电磁干扰 (EMI) 方面带来了灵活性。该功能还可通过VGS握手和死区插入方法防止任何栅极短路问题。强下拉电流还可防止任何dv/dt栅极导通。
特性
- 6V至38V、三个半桥栅极驱动器,集成了3个电流检测放大器 (CSA)
- 绝对最大额定值:40V
- 针对12V和24V直流电源轨进行了全面优化
- 驱动高侧和低侧N通道MOSFET
- 支持100%脉宽调制 (PWM) 占空比
- 智能栅极驱动架构
- 通过可调压摆率控制实现更出色的EMI和EMC性能
- 通过VGS握手和最小死区插入方法避免击穿
- 峰值拉电流:15mA至150mA
- 峰值灌电流:30mA至300mA
- 6x、3x、1x和独立PWM模式
- 支持120°传感器式运行模式
- 集成栅极驱动器电源
- 高侧倍增电荷泵
- 低侧线性稳压器
- 集成三个分流放大器
- 可调增益(5、10、20、40V/V)
- 双向或单向支持
- 可选SPI或硬件接口
- 支持1.8V、3.3V和5V逻辑输入
- 低功率睡眠模式
- 3.3V、30mA线性电压稳压器
- 集成式保护特性
- VM欠压闭锁 (UVLO)
- 电荷泵欠压 (CPUV)
- MOSFET VDS过流保护 (OCP)
- MOSFET击穿保护
- 栅极驱动器故障 (GDF)
- 过热报警和关断 (OTW/OTSD)
- 故障状态指示器 (nFAULT)
应用
- 打印机
- BLDC电机模块
- 白色家电
- CPAP、风扇和泵
- 无人机、机器人和RC玩具
- ATM机和点钞机
简化示意图
发布日期: 2018-06-29
| 更新日期: 2023-03-09

