DRV835x采用智能栅极驱动 (SGD) 架构减少MOSFET换速率控制和保护电路通常所需的外部组件的数量。SGD架构还可优化死区时间以避免击穿问题,通过MOSFET转换率控制灵活降低电磁干扰 (EMI),以及通过VGS监视器防止出现栅极短路情况。强栅极下拉电路帮助避免出现不想要的dV/dt寄生栅极打开事件。
特性
- 9V至100V,三个半桥栅极驱动器
- 可选集成降压稳压器
- 可选的三个低侧分流放大器
- 智能栅极驱动架构
- 可调压摆率控制,实现出色的EMI性能
- 通过VGS握手和最小死区插入方法避免击穿
- 50mA至1A峰值拉电流
- 100mA至2A峰值灌电流
- 通过强下拉实现dV/dt抑制
- 集成栅极驱动器电源
- 高侧倍频电荷泵,用于100% PWM占空比控制
- 低侧线性稳压器
- 集成LM5008A降压稳压器
- 工作电压范围:6V至95V
- 输出能力:2.5V至75V,350mA
- 集成三个分流放大器
- 可调增益(5、10、20、40V/V)
- 双向或单向支持
- 6x、3x、1x和独立PWM模式
- 支持120°传感器式运行模式
- 提供SPI或硬件接口
- 低功耗休眠模式(VVM=48V时为20µA)
- 集成式保护特性
- VM欠压闭锁 (UVLO)
- 栅极驱动欠压 (GDUV)
- MOSFET VDS过流保护 (OCP)
- MOSFET击穿保护
- 栅极驱动器故障 (GDF)
- 过热报警和关断 (OTW/OTSD)
- 故障状态指示器 (nFAULT)
应用
- 三相无刷直流 (BLDC) 电机模块
- 风扇、鼓风机和泵
- 电动自行车、电动踏板车和电动交通
- 电动和园艺工具、割草机
- 无人机、机器人和RC玩具
- 工厂自动化和纺织机
简化示意图
发布日期: 2018-09-11
| 更新日期: 2023-07-21

