Texas Instruments DRV835xF采用智能栅极驱动(SGD)架构,减少MOSFET压摆率控制和保护电路通常所需的外部元件数量。SGD架构还优化死区时间以防止击穿情况,并通过MOSFET压摆率控制灵活地降低电磁干扰(EMI)。它还通过VGS 监视器防止栅极短路情况。强栅极下拉电路帮助避免出现不想要的dV/dt寄生栅极打开事件。
支持各种PWM控制模式(6x、3x、1x和独立模式),可轻松连接外部控制器。这些模式可减少电机驱动器PWM控制信号所需控制器的输出数量。该系列器件还包括1x PWM模式,用于使用内部块换向表对BLDC电机进行简单的有传感器梯形控制。
特性
- 9至100V、三个半桥栅极驱动器
- 可选的集成降压稳压器
- 可选的三个低侧分流放大器
- 功能安全质量管理
- 可提供文档,协助IEC 61800-5-2功能安全系统设计
- 智能栅极驱动架构
- 可调节压摆率控制,实现EMI性能
- VGS 握手和最小死区时间插入,防止击穿
- 峰值拉电流:50mA至1A
- 100mA至2A峰值灌电流
- 通过强下拉实现dV/dt抑制
- 集成栅极驱动器电源
- 高侧倍频电荷泵,用于100% PWM占空比控制
- 低侧线性稳压器
- 集成LM5008A降压稳压器
- 工作电压范围:6V至95V
- 输出能力:2.5V至75V,350mA
- 集成三个分流放大器
- 可调增益(5、10、20、40V/V)
- 双向或单向支持
- 6x、3x、1x和独立PWM模式
- 支持120°传感器式运行模式
- 提供SPI或硬件接口
- 低功耗休眠模式(VVM =48V时为20µA)
- 集成保护功能
- VM欠压闭锁 (UVLO)
- 栅极驱动欠压 (GDUV)
- MOSFET VDS过流保护 (OCP)
- MOSFET击穿保护
- 栅极驱动器故障 (GDF)
- 过热报警和关断 (OTW/OTSD)
- 故障状态指示器 (nFAULT)
应用
- 三相无刷直流 (BLDC) 电机模块
- 伺服驱动器、工厂自动化
- 线性电机传输系统
- 工业协作机器人
- 自动导引车辆、运载无人机
- 电动自行车、电动踏板车和电动交通
简化示意图
发布日期: 2020-10-22
| 更新日期: 2024-09-06

