Texas Instruments ISO5452/ISO5452-Q1 Isolated IGBT Gate Drivers

Texas Instruments ISO5452/ISO5452-Q1隔离式
IGBT栅极驱动器

Texas Instruments ISO5452/ISO5452-Q1隔离式IGBT栅极驱动器是一款用于IGBT和MOSFET的5.7 kVRMS增强型隔离栅极驱动器,具有分离输出,具有2.5A的拉电流和5A的灌电流。输入边采用2.25V到5.5V的单电源供电。输出边允许从15V(最小值)至30V(最大值)的电源范围。两个互补CMOS输入控制栅极驱动器的输出状态。76ns的短暂传播时间保证精确控制输出级。典型应用包括工业电机控制驱动器、电源、太阳能逆变器、 HEV和EV电源模块以及感应加热中的隔离式IGBT和MOSFET驱动器。ISO5452-Q1驱动器符合AEC-Q100汽车应用标准。

产品特色
  • 最小为50kV/μs,典型值为100kV/µs的共模瞬态抗扰度 (CMTI) ,在VCM = 1500V时
  • 提供2.5A峰值拉电流和5A峰值灌电流的分离输出
  • 传播延迟短:76ns(典型值)、110ns(最大值)
  • 2A有源米勒箝位
  • 输出短路钳位
  • 短路时软关断(STO)
  • 在检测到去饱和故障时通过FLT发出故障警报,并通过RST重置
  • 具有就绪(RDY)引脚指示的输入和输出欠压锁定(UVLO)
  • 有源输出下拉特性,在低电源或输入悬浮的情况下默认输出低电平
  • 2.25V到5.5V的输入供电电压
  • 15V至30V的输出驱动供电电压
  • CMOS兼容输入
  • 抑制短于20ns的输入脉冲和瞬态噪声
  • 工作温度:-40°C至125°C环境

  • 抗浪涌10000VPK(符合IEC 61000-4-5标准)
  • 安全与法规认证
    • 8000VPK VIOTM和1420VPK VIORM增强隔离,符合 DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10):2006-12标准
    • 5700VRMS隔离1分钟,符合UL 1577标准
    • CSA元件认可通知5A,IEC 60950-1、IEC 60601-1和IEC 61010-1终端设备标准
    • 通过GB4943.1-2011的CQC认证
    • 计划进行所有认证

应用
  • 以下领域的隔离式IGBT 和MOSFET驱动器:
  • 工业电机控制驱动
  • 工业电源
  • 太阳能逆变器
  • HEV和EV电源模块
  • 感应加热

ISO5852SEVM增强型隔离式IGBT栅极驱动器评估模块

Texas Instruments ISO5852SEVM增强型隔离式IGBT栅极驱动器评估模块 (EVM)用于评估ISO5852S的特性。此评估模块允许设计人员通过预加载的1nF负载或用户安装的IGBT来评估器件的交流和直流性能。这些 IGBT 可以采用标准TO-247或TO-220封装。

产品特色
  • 增强型隔离IGBT栅极驱动器,具有2.5A的拉电流和5A的灌电流
  • 极短传播时间保证精确控制输出级
  • 输入边采用2.25V到5.5V的单电源供电
  • 输出边允许15V至30V的电源范围
  • 2A 米勒钳位、输出短路钳位、去饱和故障警告、输入输出欠压锁定(带就绪引脚指示)

  • 分离输出、有源输出下拉和默认低输出情况
  • DESAT检测时带低电源或悬浮输入的栅极驱动器
  • CMOS兼容输入

Functional Block Diagram
Functional Block Diagram
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  • Texas Instruments
发布日期: 2015-12-02 | 更新日期: 2025-08-01