Texas Instruments LM2101半桥栅极驱动器
Texas Instrument LM2101半桥栅极驱动器是一款紧凑型高压栅极驱动器,设计用于驱动同步降压或半桥配置中的高侧和低侧N沟道MOSFET。SH 引脚上的 – 1V DC和–19.5V瞬态负电压处理提高了高噪声应用中的系统鲁棒性。小型耐热增强型8引脚WSON封装允许将驱动器放置在更靠近电机相位的位置,从而改善了PCB布局。Texas Instruments LM2101还采用与行业标准引脚排列兼容的8引脚SOIC封装。低侧和高侧电源轨上提供欠压锁定 (UVLO),以在加电和断电期间提供保护。
特性
- 驱动两个采用半桥配置的N沟道MOSFET
- GVDD上的典型欠压锁定为8V
- SH上处理的绝对最大负瞬态电压为–19.5V
- BST上的绝对最大电压为107V
- 峰值源/灌电流为0.5A/0.8A
- 传播延迟:115ns(典型值)
应用
- 无刷直流 (BLDC) 电机
- 永磁同步电机 (PMSM)
- 无绳真空吸尘器
- 无绳园艺和电动工具
- 电动自行车和电动踏板车
- 电池测试设备
- 离线不间断电源 (UPS)
- 通用MOSFET或IGBT驱动器
相关开发工具
该评估模块用于评估LM2105,一款105V启动电压高侧、低侧驱动器。
发布日期: 2024-01-17
| 更新日期: 2024-01-23