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Texas Instruments LM5022-Q1 60V低侧控制器

Texas Instruments LM5022-Q1 60V低侧控制器是一款适用于升压和SEPIC稳压器的高电压低侧N沟道MOSFET控制器。该器件包含含实现单端 一次侧拓扑所需的全部功能。输出稳压基于电流模式控制。这种控制不仅简化了环路补偿的设计，同时还能够提供固有输入电压前馈。LM5022-Q1 包含一个启动稳压器，该稳压器在 6V 至 60V 的宽输入电压范围内工作。PWM 控制器专为高速性能而设计，振荡器频率范围高达 2.2MHz，总传播延迟不到 100ns。功能包括误差放大器、精密基准、线路欠压锁定和逐周期电流限制。其他特性包括斜率补偿、软启动、外部同步功能以及热关断。

特性

  • 具有符合AEC-Q100 1级标准的下列结果：
    • 器件温度等级1：-40°C至125°C
    • 环境工作温度范围
    • 器件人体模型 (HBM) 静电放电 (ESD) 分类等级2
    • 器件充电器件模型 (CDM) 静电放电分类等级C5
  • 内部60V启动稳压器
  • 峰值电流为1A的MOSFET栅极驱动器
  • VIN范围：6V至60V（启动后，最低可以在3V下工作）
  • 占空比限值为90%
  • 带迟滞的UVLO
  • 逐周期限流
  • 可通过单个电阻设置振荡器频率
  • 可调节开关频率高达2.2MHz
  • 外部时钟同步
  • 斜率补偿
  • 可调节软启动
  • 10引脚VSSOP封装

应用

  • 升压转换器
  • SEPIC转换器

功能框图

框图 - Texas Instruments LM5022-Q1 60V低侧控制器
发布日期: 2016-05-03 | 更新日期: 2025-03-06