Texas Instruments LM5060-Q1高侧保护控制器
Texas Instruments LM5060-Q1高侧保护控制器具有低静态电流，可在正常开/关转换和故障情况下智能控制高侧N沟道MOSFET。近乎恒定的输出电压上升时间源自对涌入电流的控制。提供输入UVLO（具有迟滞）和可编程输入OVP，使能输入提供远程开/关控制。可在单个电容器对初始启动VGS故障检测延迟时间、过渡VDS故障检测延迟时间和连续过流VDS故障检测延迟时间进行设定。MOSFET锁存关闭直到启用输入或UVLO输入处于低电平，但检测到的故障情况一直持续超过了允许的故障延迟时间时则切入高电平。
特性
- 符合汽车级/AEC Q-100标准
- 宽工作输入电压范围：5.5V至65V
- 禁用模式下，静态电流小于15µA
- 受控的输出上升时间，实现安全连接容性负载
- 过压关断后立即重启
- 用于外部N通道MOSFET的充电泵栅极驱动器
- 可调欠压锁定 (UVLO)，带磁滞
- UVLO作为第二使能输入，用于需要安全冗余的系统
- 可编程故障检测延迟时间
- 检测到故障负载后锁闭MOSFET
- 低电平有效开漏电源良好 (nPGD) 输出
- 可调输入过压保护 (OVP)
- 10引脚VSSOP
应用
- 汽车车身电子设备
- 工业配电和控制
框图
发布日期: 2018-08-08
| 更新日期: 2025-03-06