Texas Instruments LM5101BMA 100V MOSFET驱动器

Texas Instruments LM5101BMA 100V MOSFET驱动器用于驱动采用同步降压或半桥配置的高侧和低侧N通道MOSFET。该浮动高侧驱动器能够在高达100V的电源电压下工作。A版本提供完全的3A栅极驱动,而B和C版本则分别提供2A和1A驱动。输出由CMOS输入阈值 (LM5100A/B/C) 或TTL输入阈值 (LM5101A/B/C) 独立控制。该器件集成了一个高压二极管,用于为高侧栅极驱动自举电容器充电。该器件设有稳健的电平移位器,可高速工作,功耗极低,可提供从控制逻辑到高侧栅极驱动器的的干净电平转换。

特性

  • 驱动高侧和低侧N通道MOSFET
  • 独立的高、低驱动器逻辑输入
  • 高达118V DC的自举电源电压
  • 快速传播时间(典型值25ns)
  • 驱动1000pF的负载,上升和下降时间为8ns
  • 优秀的传播延迟匹配(典型值3ns)
  • 电源轨欠压锁定
  • 低功耗
  • 与HIP2100/HIP2101引脚兼容

规范

  • 2路输出
  • 双通道独立驱动器配置
  • 最低VCC:7.5V
  • 最高VCC:14V
  • 峰值输出电流:2A
  • 10ns上升时间
  • 10ns下降时间
  • 25ns传播延迟
  • SOIC-8引脚/封装

应用

  • 电流馈送推挽转换器
  • 半桥和全桥功率转换器
  • 同步降压转换器
  • 双开关正激功率转换器
  • 有源钳位正激转换器

简化框图

框图 - Texas Instruments LM5101BMA 100V MOSFET驱动器
发布日期: 2019-08-06 | 更新日期: 2023-10-16