Texas Instruments LM5109B-Q1半桥栅极驱动器
Texas Instruments LM5109B-Q1半桥栅极驱动器是一款性价比高的高电压栅极驱动器，设计用于驱动高侧和低侧N沟道MOSFET。这可以在同步降压或半桥配置中完成。浮动高侧驱动器的工作轨电压高达90V，输出由TTL/CMOS兼容的逻辑输入阈值独立控制。稳定的电平移位技术，可高速工作，仅消耗很低功耗，同时进行从控制逻辑到高侧栅极驱动器的彻底的电平转换。该器件在低侧和高侧电源轨上提供了欠压锁定功能。
特性
- 符合汽车应用标准
- 具有符合AEC-Q100标准的下列特性：
- 器件温度1级
- 器件人体模型 (HBM) 静电放电 (ESD) 分类等级1C
- 器件充电器件模型 (CDM) ESD分类等级C4A
- 驱动高侧和低侧N沟道MOSFET
- 1A峰值输出电流（1.0A 灌/1.0A拉）
- 独立式TTL/CMOS兼容型输入
- 自举电源电压达108V DC
- 快速传播时间（典型值30ns）
- 驱动1000pF的负载，上升和下降时间为15ns
- 优秀的传播延迟匹配（典型值2ns）
- 电源轨欠压锁定
- 低功耗
- 热增强型WSON-8封装
应用
- 推挽式转换器
- 半桥和全桥功率转换器
- 固态电机硬盘
- 双开关正向功率转换器
发布日期: 2016-01-12
| 更新日期: 2025-08-01